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細節決定成敗-開關直流電源細節設計大全

文章來源:穩壓電源公司,時間:2017-08-29 09:34    點擊量:

    開關直流電源設計項目前期各個參數注意細節開關直流電源設計圖紙借鑒下NXP的這個TEA1832圖紙做個說明.分析里面的電路參數設計與優化并做到認證至量產. 在所有的元器件中盡量選擇公司倉庫里面的元件,和量大的元件,方便后續降成本拿價格.

細節決定成敗-開關直流電源細節設計大全
    貼片電阻采用0603的5%,0805的5%,1%,貼片電容容值越大價格越高,設計時需考慮.

    1、輸入端,FUSE選擇需要考慮到I^2T參數.保險絲的分類,快斷,慢斷,電流,電壓值,保險絲的認證是否齊全.保險絲前的安規距離2.5mm以上.設計時盡量放到3mm以上.需考慮打雷擊時,保險絲I2T是否有余量,會不會打掛掉.

    2、這個圖中可以增加個壓敏電阻,一般采用14D471,也有采用561的,直徑越大抗浪涌電流越大,也有增強版的10S471,14S471等,一般14D471打1KV,2KV雷擊夠用了,增加雷擊電壓就要換成MOV+GDT了.有必要時,壓敏電阻外面包個熱縮套管.

    3、NTC,這個圖中可以增加個NTC,有的客戶有限制冷啟動浪涌電流不超過60A,30A,NTC的另一個目的還可以在雷擊時扛部分電壓,減下MOSFET的壓力.選型時注意NTC的電壓,電流,溫度等參數.

    4、共模電感,傳導與輻射很重要的一個濾波元件,共模電感有環形的高導材料5K,7K,0K,12K,15K,常用繞法有分槽繞,并繞,蝶形繞法等,還有UU型,分4個槽的ET型.這個如果能共用老機種的最好,成本考慮,傳導輻射測試完成后才能定型.

    5、X電容的選擇,這個需要與共模電感配合測試傳導與輻射才能定容值,一般情況為功率越大X電容越大.

    6、如果做認證時有輸入L,N的放電時間要求,需要在X電容下放2并2串的電阻給電容放電.

    7、橋堆的選擇一般需要考慮橋堆能過得浪涌電流,耐壓和散熱,防止雷擊時掛掉.

    8、VCC的啟動電阻,注意啟動電阻的功耗,主要是耐壓值,1206的一般耐壓200V,0805一般耐壓150V,能多留余量比較好.

    9、輸入濾波電解電容,一般看成本的考慮,輸出保持時間的10mS,按照電解電容容值的最小情況80%容值設計,不同廠家和不同的設計經驗有點出入,有一點要注意普通的電解電容和扛雷擊的電解電容,電解電容的紋波電流關系到電容壽命,這個看品牌和具體的系列了.

    10、輸入電解電容上有并聯一個小瓷片電容,這個平時體現不出來用處,在做傳導抗擾度時有效果.

    11、RCD吸收部分,R的取值對應MOSFET上的尖峰電壓值,如果采用貼片電阻需注意電壓降額與功耗.C一般取102/103 1KV的高壓瓷片,整改輻射時也有可能會改為薄膜電容效果好.D一般用FR107,FR207,整改輻射時也有改為1N4007的情況或者其他的慢管,或者在D上套磁珠(K5A,K5C等材質).小功率電源,RC可以采用TVS管替代,如P6KE160等.

    12、MOSFET的選擇,起機和短路情況需要注意SOA.高溫時的電流降額,低溫時的電壓降額.一般600V 2-12A足夠用與100W以內的反激,根據成本來權衡選型.整改輻射時很多方法沒有效果的時候,換個MOSFET就過了的情況經常有.

    13、MOSFET的驅動電阻一般采用10R+20R,阻值大小對應開關速度,效率,溫升.這個參數需要整改輻射時調整.

    14、MOSFET的GATE到SOURCE端需要增加一個10K-100K的電阻放電.

    15、MOSFET的SOURCE到GND之間有個Isense電阻,功率盡量選大,盡量采用繞線無感電阻.功率小,或者有感電阻短路時有遇到過炸機現象.

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